অপটিকাল সেন্সর - প্রতিফলিত - এনালগ আউটপুট

ITR9904

ITR9904

পার্ট স্টক: 132481

সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
EAITRBA1

EAITRBA1

পার্ট স্টক: 196601

সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
ITR20005-F

ITR20005-F

পার্ট স্টক: 154468

সংবেদনের দূরত্ব: 0.236" (6mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

পার্ট স্টক: 2708

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

শুভেচ্ছা
OPB607B

OPB607B

পার্ট স্টক: 65732

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 125mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

শুভেচ্ছা
OPB702D

OPB702D

পার্ট স্টক: 29730

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

শুভেচ্ছা
OPB704G

OPB704G

পার্ট স্টক: 28718

সংবেদনের দূরত্ব: 0.149" (3.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 6mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
OPB709

OPB709

পার্ট স্টক: 29517

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

শুভেচ্ছা
OPB702RR

OPB702RR

পার্ট স্টক: 29723

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Transistor, Base-Emitter Resistor,

শুভেচ্ছা
OPB700

OPB700

পার্ট স্টক: 2739

সংবেদনের দূরত্ব: 0.200" (5.08mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
OPB707A

OPB707A

পার্ট স্টক: 31033

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 125mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

শুভেচ্ছা
OPB706B

OPB706B

পার্ট স্টক: 40281

সংবেদনের দূরত্ব: 0.05" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
OPB733TR

OPB733TR

পার্ট স্টক: 29257

সংবেদনের দূরত্ব: 1" (25.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
HOA0708-001

HOA0708-001

পার্ট স্টক: 9455

সংবেদনের দূরত্ব: 0.15" (3.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
HOA1397-032

HOA1397-032

পার্ট স্টক: 2787

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
HOA1180-002

HOA1180-002

পার্ট স্টক: 4264

সংবেদনের দূরত্ব: 0.250" (6.35mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

শুভেচ্ছা
HOA2498-003

HOA2498-003

পার্ট স্টক: 4234

সংবেদনের দূরত্ব: 0.250" (6.35mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
HOA2498-001

HOA2498-001

পার্ট স্টক: 6303

সংবেদনের দূরত্ব: 0.250" (6.35mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
HOA1404-001

HOA1404-001

পার্ট স্টক: 7684

সংবেদনের দূরত্ব: 0.2" (5.08mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
PMR10RI

PMR10RI

পার্ট স্টক: 187

সংবেদনের দূরত্ব: 393.701" (10m), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective,

শুভেচ্ছা
TCND3000

TCND3000

পার্ট স্টক: 4321

সংবেদনের দূরত্ব: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: PIN Photodiode,

শুভেচ্ছা
VTR16D1H

VTR16D1H

পার্ট স্টক: 2721

সংবেদনের দূরত্ব: 0.210" (5.33mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 2.25V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100µA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
MTRS9520D

MTRS9520D

পার্ট স্টক: 14289

সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, আউটপুট প্রকার: Photodiode,

শুভেচ্ছা
MTRS5750

MTRS5750

পার্ট স্টক: 12974

সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 30mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
SFH 331-JK

SFH 331-JK

পার্ট স্টক: 174148

সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 30mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
SFH 9206-6/7

SFH 9206-6/7

পার্ট স্টক: 158486

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
LTH-1650-01

LTH-1650-01

পার্ট স্টক: 139731

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
LTH-301-27P1

LTH-301-27P1

পার্ট স্টক: 96828

সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
CNZ2153

CNZ2153

পার্ট স্টক: 2754

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
CNB1301

CNB1301

পার্ট স্টক: 2794

সংবেদনের দূরত্ব: 0.098" (2.5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
CNB10010HL

CNB10010HL

পার্ট স্টক: 2713

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
HSDL-9100-021

HSDL-9100-021

পার্ট স্টক: 74350

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, আউটপুট প্রকার: Photodiode,

শুভেচ্ছা
EE-SY199

EE-SY199

পার্ট স্টক: 22122

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
EE-SY190

EE-SY190

পার্ট স্টক: 4272

সংবেদনের দূরত্ব: 0.178" (4.5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
EE-SB5

EE-SB5

পার্ট স্টক: 8233

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

শুভেচ্ছা
GP2A210LCSJF

GP2A210LCSJF

পার্ট স্টক: 2727

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" ~ 0.866" (2mm ~ 22mm) ADJ, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, আউটপুট প্রকার: Photodiode,

শুভেচ্ছা