Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক, প্রাক-বায়া

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক, প্রাক-বায়া
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR555E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 169612

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR142E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 111124

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR198E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 196205

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 112554

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR533E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 148436

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 179063

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 117390

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR505E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 155798

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR108E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 107313

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 187004

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR135E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 185332

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR523E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 192928

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR116E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 185599

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR553E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR553E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 184944

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR555E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR555E6433HTMA1

পার্ট স্টক: 167043

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR573E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR573E6433HTMA1

পার্ট স্টক: 194775

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR573E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR573E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 169525

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR523E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR523E6433HTMA1

পার্ট স্টক: 168743

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR583E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR583E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 160056

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR521E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR521E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 128154

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 1 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR112E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR112E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 162905

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR142WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR142WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 167474

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR185WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 127612

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR148E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR148E6433HTMA1

পার্ট স্টক: 122157

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR166E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR166E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 175753

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR185E6327HTSA1

পার্ট স্টক: 117094

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR133E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR133E6433HTMA1

পার্ট স্টক: 166891

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR108WH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108WH6433XTMA1

পার্ট স্টক: 152662

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR196WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 168903

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR198WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 142688

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR191WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR191WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 172560

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR112WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR112WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 124099

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR148WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR148WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 121396

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR183WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR183WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 182729

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR108WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR108WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 111326

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BCR158WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR158WH6327XTSA1

পার্ট স্টক: 106810

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা