ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

IDH08G65C5XKSA2

পার্ট স্টক: 17096

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 8A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDK05G65C5XTMA2

পার্ট স্টক: 51817

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 5A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

GATELEADWHRD762XPSA1

পার্ট স্টক: 194

IDH04G65C6XKSA1

পার্ট স্টক: 31780

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 12A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.35V @ 4A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

GATELEADWHBK750XXPSA1

পার্ট স্টক: 166

IDH03G65C5XKSA2

পার্ট স্টক: 38597

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 3A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDL08G65C5XUMA2

পার্ট স্টক: 167

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 8A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDK04G65C5XTMA2

পার্ট স্টক: 62465

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 4A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDH02G65C5XKSA2

পার্ট স্টক: 207

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 2A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDH04SG60CXKSA2

পার্ট স্টক: 216

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.3V @ 4A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDD05SG60CXTMA2

পার্ট স্টক: 148

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.3V @ 5A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDK08G65C5XTMA2

পার্ট স্টক: 219

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 8A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDH03SG60CXKSA2

পার্ট স্টক: 141

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.3V @ 3A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDH05G65C5XKSA2

পার্ট স্টক: 217

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 5A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDK03G65C5XTMA2

পার্ট স্টক: 78467

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 3A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDL06G65C5XUMA2

পার্ট স্টক: 164

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 6A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 6A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDD04SG60CXTMA2

পার্ট স্টক: 217

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.3V @ 4A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDL02G65C5XUMA2

পার্ট স্টক: 197

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 2A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

GATELEADWHBU445XXPSA1

পার্ট স্টক: 130

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

পার্ট স্টক: 222

IDW30G65C5XKSA1

পার্ট স্টক: 5618

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 30A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDW24G65C5BXKSA2

পার্ট স্টক: 8231

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 12A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 12A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDH10G65C5XKSA2

পার্ট স্টক: 13701

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 10A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDH05SG60CXKSA2

পার্ট স্টক: 169

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.3V @ 5A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDK09G65C5XTMA2

পার্ট স্টক: 28769

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 9A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 9A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDW20G65C5BXKSA2

পার্ট স্টক: 9329

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 10A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

GATELEADWHBN661XXPSA1

পার্ট স্টক: 133

IDL04G65C5XUMA2

পার্ট স্টক: 178

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 4A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDW20G65C5XKSA1

পার্ট স্টক: 7363

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 20A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDW40G65C5BXKSA2

পার্ট স্টক: 4935

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 20A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDD03SG60CXTMA2

পার্ট স্টক: 202

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.3V @ 3A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDH16G65C5XKSA2

পার্ট স্টক: 9608

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 16A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 16A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDH06G65C6XKSA1

পার্ট স্টক: 25253

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 16A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.35V @ 6A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

IDP30E65D1XKSA1

পার্ট স্টক: 46102

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 60A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 64ns,

IDP1301GXUMA1

পার্ট স্টক: 50176

D911SH45T

পার্ট স্টক: 250

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 4500V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1140A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 6V @ 2500A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),