ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - মডিউল | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 16

APTGF100SK120TG

পার্ট স্টক: 453

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 135A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 568W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.7V @ 15V, 100A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

পার্ট স্টক: 3069

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 961W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.7V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

পার্ট স্টক: 453

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Dual, Common Source, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 135A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 568W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.7V @ 15V, 100A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

পার্ট স্টক: 411

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 130A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 735W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.7V @ 15V, 100A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

পার্ট স্টক: 435

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 135A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 568W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.7V @ 15V, 100A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

পার্ট স্টক: 455

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 93A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 378W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 60A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

পার্ট স্টক: 418

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 93A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 378W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 60A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

পার্ট স্টক: 3465

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 347W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

পার্ট স্টক: 3433

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 347W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

পার্ট স্টক: 448

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 277W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

পার্ট স্টক: 465

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 58A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 192W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

পার্ট স্টক: 416

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 58A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 192W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

পার্ট স্টক: 481

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 120A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 416W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 100A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT75GN120J

পার্ট স্টক: 420

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 124A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 379W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

পার্ট স্টক: 401

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 124A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 379W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

পার্ট স্টক: 445

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 93A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 378W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 60A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT50GP60J

পার্ট স্টক: 2419

আইজিবিটি টাইপ: PT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 329W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

পার্ট স্টক: 393

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 72A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 379W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.7V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

পার্ট স্টক: 2536

আইজিবিটি টাইপ: PT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 86A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 284W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 40A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

পার্ট স্টক: 469

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 77A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 347W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3V @ 15V, 40A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

পার্ট স্টক: 406

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 283A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 682W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.85V @ 15V, 200A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

পার্ট স্টক: 1653

আইজিবিটি টাইপ: PT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 128A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 543W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.9V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

পার্ট স্টক: 1360

আইজিবিটি টাইপ: NPT, Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Boost Chopper, Full Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 65A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.45V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

পার্ট স্টক: 2143

আইজিবিটি টাইপ: PT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 900V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 64A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 284W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.9V @ 15V, 40A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT40GP90J

পার্ট স্টক: 2176

আইজিবিটি টাইপ: PT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 900V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 68A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 284W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.9V @ 15V, 40A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

পার্ট স্টক: 2312

আইজিবিটি টাইপ: PT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 329W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

পার্ট স্টক: 2849

আইজিবিটি টাইপ: PT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 67A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 245W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

পার্ট স্টক: 351

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 312W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.7V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

পার্ট স্টক: 336

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 110A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 416W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 100A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

পার্ট স্টক: 3031

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Asymmetrical Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

পার্ট স্টক: 3035

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 277W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

পার্ট স্টক: 285

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 130A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 657W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.7V @ 15V, 100A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

পার্ট স্টক: 351

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 120A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 520W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

পার্ট স্টক: 371

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

পার্ট স্টক: 316

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 270W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

পার্ট স্টক: 363

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 350W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা