ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

FDS9958-F085

পার্ট স্টক: 26954

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDS8858CZ

পার্ট স্টক: 153147

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.6A, 7.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ECH8660-TL-H

পার্ট স্টক: 177854

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 59 mOhm @ 2A, 10V,

FDS8960C

পার্ট স্টক: 111818

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 35V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

পার্ট স্টক: 147558

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

EFC2J003NUZTCG

পার্ট স্টক: 117536

NTZD3154NT1G

পার্ট স্টক: 148850

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 540mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

FDC6312P

পার্ট স্টক: 122807

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

পার্ট স্টক: 118152

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

পার্ট স্টক: 126305

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 630mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5853NLWFT1G

পার্ট স্টক: 90449

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

NTUD3170NZT5G

পার্ট স্টক: 153569

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

NTMFD4C87NT1G

পার্ট স্টক: 29744

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11.7A, 14.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

FDS8978

পার্ট স্টক: 143107

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

NTZD5110NT1G

পার্ট স্টক: 185466

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 294mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

FDG6322C

পার্ট স্টক: 124499

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA, 410mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

HUFA76413DK8T-F085

পার্ট স্টক: 2586

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NTJD5121NT1G

পার্ট স্টক: 179833

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 295mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

FDPC8012S

পার্ট স্টক: 47700

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A, 26A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

MCH6661-TL-W

পার্ট স্টক: 182202

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 188 mOhm @ 900mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.6V @ 1mA,

NVMFD5873NLWFT1G

পার্ট স্টক: 71856

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

NTJD4105CT1G

পার্ট স্টক: 180528

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, 8V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 630mA, 775mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDS4935BZ

পার্ট স্টক: 185680

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 6.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDME1024NZT

পার্ট স্টক: 131909

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

FDMA1023PZ

পার্ট স্টক: 100824

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDS8958B

পার্ট স্টক: 194401

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.4A, 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT3G

পার্ট স্টক: 94178

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 44 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

NTJD4158CT1G

পার্ট স্টক: 159746

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 250mA, 880mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 100µA,

EFC6612R-TF

পার্ট স্টক: 157184

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS6990AS

পার্ট স্টক: 162854

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 1mA,

NTJD5121NT2G

পার্ট স্টক: 197174

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 295mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

FDS6982AS

পার্ট স্টক: 164073

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.3A, 8.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDMA1028NZ

পার্ট স্টক: 179878

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

EFC4C002NLTDG

পার্ট স্টক: 85433

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 1mA,

HUFA76407DK8T-F085

পার্ট স্টক: 3322

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDMC8200S

পার্ট স্টক: 148692

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, 8.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,