Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে
NTHD3102CT1G
ON Semiconductor

NTHD3102CT1G

পার্ট স্টক: 118797

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, 3.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDC3601N
ON Semiconductor

FDC3601N

পার্ট স্টক: 102462

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 500 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDG6301N-F085
ON Semiconductor

FDG6301N-F085

পার্ট স্টক: 2507

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
NVMFD5485NLWFT3G
ON Semiconductor

NVMFD5485NLWFT3G

পার্ট স্টক: 90689

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 44 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
NVLJD4007NZTAG
ON Semiconductor

NVLJD4007NZTAG

পার্ট স্টক: 139596

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 245mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 100µA,

ইচ্ছেতালিকা
EFC6605R-TR
ON Semiconductor

EFC6605R-TR

পার্ট স্টক: 197820

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ইচ্ছেতালিকা
NTMFD4C88NT3G
ON Semiconductor

NTMFD4C88NT3G

পার্ট স্টক: 40053

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11.7A, 14.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
NVMFD5483NLT3G
ON Semiconductor

NVMFD5483NLT3G

পার্ট স্টক: 73044

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 36 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
MCH6663-TL-H
ON Semiconductor

MCH6663-TL-H

পার্ট স্টক: 186117

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.8A, 1.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 188 mOhm @ 900mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
FDMA1024NZ
ON Semiconductor

FDMA1024NZ

পার্ট স্টক: 167329

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 54 mOhm @ 5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
CPH6636R-TL-W
ON Semiconductor

CPH6636R-TL-W

পার্ট স্টক: 161568

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 24V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 3A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা
FDS89161LZ
ON Semiconductor

FDS89161LZ

পার্ট স্টক: 125136

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 2.7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
NTLGD3502NT2G
ON Semiconductor

NTLGD3502NT2G

পার্ট স্টক: 150994

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.3A, 3.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDMS3624S
ON Semiconductor

FDMS3624S

পার্ট স্টক: 88033

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17.5A, 30A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDS89161
ON Semiconductor

FDS89161

পার্ট স্টক: 125135

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 2.7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDG1024NZ
ON Semiconductor

FDG1024NZ

পার্ট স্টক: 171322

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
NTMD4N03R2G
ON Semiconductor

NTMD4N03R2G

পার্ট স্টক: 117636

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 60 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDS6911
ON Semiconductor

FDS6911

পার্ট স্টক: 99941

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDMD8630
ON Semiconductor

FDMD8630

পার্ট স্টক: 2633

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 38A (Ta), 167A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1 mOhm @ 38A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDS6975
ON Semiconductor

FDS6975

পার্ট স্টক: 115211

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 32 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDS4897C
ON Semiconductor

FDS4897C

পার্ট স্টক: 170499

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.2A, 4.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
MCH6660-TL-W
ON Semiconductor

MCH6660-TL-W

পার্ট স্টক: 167591

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 1.8V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, 1.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 136 mOhm @ 1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 1mA,

ইচ্ছেতালিকা
NTHD4102PT1G
ON Semiconductor

NTHD4102PT1G

পার্ট স্টক: 108053

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDMB3800N
ON Semiconductor

FDMB3800N

পার্ট স্টক: 191355

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 4.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDS6890A
ON Semiconductor

FDS6890A

পার্ট স্টক: 101115

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDY1002PZ
ON Semiconductor

FDY1002PZ

পার্ট স্টক: 182634

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 830mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDMA1032CZ
ON Semiconductor

FDMA1032CZ

পার্ট স্টক: 89328

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.7A, 3.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDME1034CZT
ON Semiconductor

FDME1034CZT

পার্ট স্টক: 154682

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A, 2.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
FDY3000NZ
ON Semiconductor

FDY3000NZ

পার্ট স্টক: 111326

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 600mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা