Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - একক
NGTB50N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N65FL2WG

পার্ট স্টক: 14687

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 417W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB50N60FWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FWG

পার্ট স্টক: 11089

আইজিবিটি টাইপ: Trench, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.7V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 223W,

ইচ্ছেতালিকা
HGT1S10N120BNST
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNST

পার্ট স্টক: 31860

আইজিবিটি টাইপ: NPT, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 35A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 80A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 10A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 298W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

পার্ট স্টক: 43676

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2V @ 15V, 35A,

ইচ্ছেতালিকা
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

পার্ট স্টক: 13542

আইজিবিটি টাইপ: NPT and Trench, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 90A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.65V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 312W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

পার্ট স্টক: 7369

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 90A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.4V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 480W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH75T65SHDTL4
ON Semiconductor

FGH75T65SHDTL4

পার্ট স্টক: 12151

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 300A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 455W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTD28T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD28T65F2SWK

পার্ট স্টক: 20638

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
FGD3N60LSDTM
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM

পার্ট স্টক: 144068

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 6A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 25A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.5V @ 10V, 3A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 40W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB40N120L3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120L3WG

পার্ট স্টক: 12509

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 160A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 454W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH75N60UFTU
ON Semiconductor

FGH75N60UFTU

পার্ট স্টক: 10416

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 225A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 452W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH25N120FTDS
ON Semiconductor

FGH25N120FTDS

পার্ট স্টক: 9325

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 75A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2V @ 15V, 25A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 313W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB40N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N135IHRWG

পার্ট স্টক: 17791

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1350V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 394W,

ইচ্ছেতালিকা
FGA15N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA15N120ANTDTU-F109

পার্ট স্টক: 402

আইজিবিটি টাইপ: NPT and Trench, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 45A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 15A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 186W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTD28T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD28T65F2WP

পার্ট স্টক: 20854

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

পার্ট স্টক: 22935

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 120A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 180A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.9V @ 15V, 60A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 378W,

ইচ্ছেতালিকা
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

পার্ট স্টক: 256

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 41A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.25V @ 4V, 6A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

পার্ট স্টক: 62700

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 24A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 60A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 15A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 54W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

পার্ট স্টক: 37370

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2V @ 15V, 40A,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

পার্ট স্টক: 18097

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 366W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

পার্ট স্টক: 2512

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 120A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 240A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 60A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 333W,

ইচ্ছেতালিকা
FGA6560WDF
ON Semiconductor

FGA6560WDF

পার্ট স্টক: 18136

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 120A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 180A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.3V @ 15V, 60A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 306W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH12040WD-F155
ON Semiconductor

FGH12040WD-F155

পার্ট স্টক: 2672

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 100A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.9V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 428W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH40T100SMD
ON Semiconductor

FGH40T100SMD

পার্ট স্টক: 13786

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1000V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.3V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 333W,

ইচ্ছেতালিকা
FGA20S140P
ON Semiconductor

FGA20S140P

পার্ট স্টক: 26339

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1400V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 60A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 20A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 272W,

ইচ্ছেতালিকা
FGA25N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109

পার্ট স্টক: 1477

আইজিবিটি টাইপ: NPT and Trench, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 90A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.65V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 312W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB30N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHRWG

পার্ট স্টক: 18543

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1350V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.65V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 394W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH30S150P
ON Semiconductor

FGH30S150P

পার্ট স্টক: 11394

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1500V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 90A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 500W,

ইচ্ছেতালিকা
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

পার্ট স্টক: 16438

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 120A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 180A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 60A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 298W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB30N135IHR1WG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHR1WG

পার্ট স্টক: 14704

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1350V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 394W,

ইচ্ছেতালিকা
ISL9V2040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040S3ST

পার্ট স্টক: 63148

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 430V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 4V, 6A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 130W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH30T65UPDT-F155
ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

পার্ট স্টক: 2946

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 90A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.3V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 250W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH40N65UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU-F085

পার্ট স্টক: 2948

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 290W,

ইচ্ছেতালিকা
HGTG12N60A4D
ON Semiconductor

HGTG12N60A4D

পার্ট স্টক: 27784

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 54A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 96A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 12A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 167W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB40N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WAG

পার্ট স্টক: 18131

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 160A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 536W,

ইচ্ছেতালিকা
FGL60N100BNTD
ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

পার্ট স্টক: 11528

আইজিবিটি টাইপ: NPT and Trench, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1000V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.9V @ 15V, 60A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 180W,

ইচ্ছেতালিকা