Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - একক
NGTB40N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHL2WG

পার্ট স্টক: 15225

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.2V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 300W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD21T65F2WP

পার্ট স্টক: 28668

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 45A,

ইচ্ছেতালিকা
FGA30S120P
ON Semiconductor

FGA30S120P

পার্ট স্টক: 11061

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1300V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 150A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.3V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 348W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

পার্ট স্টক: 36618

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 105A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.65V @ 15V, 20A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 64W,

ইচ্ছেতালিকা
FGI3236-F085
ON Semiconductor

FGI3236-F085

পার্ট স্টক: 2622

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 360V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 44A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.4V @ 4V, 6A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 187W,

ইচ্ছেতালিকা
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3036S3ST

পার্ট স্টক: 57552

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 360V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 21A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.6V @ 4V, 6A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

পার্ট স্টক: 7703

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 535W,

ইচ্ছেতালিকা
SGS10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS10N60RUFDTU

পার্ট স্টক: 30705

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 16A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 30A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.8V @ 15V, 10A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 55W,

ইচ্ছেতালিকা
FGAF40N60SMD
ON Semiconductor

FGAF40N60SMD

পার্ট স্টক: 15222

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 115W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH40N60SMD
ON Semiconductor

FGH40N60SMD

পার্ট স্টক: 22404

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 349W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH25T120SMD-F155

পার্ট স্টক: 1603

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 100A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 25A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 428W,

ইচ্ছেতালিকা
HGTG30N60C3D
ON Semiconductor

HGTG30N60C3D

পার্ট স্টক: 10243

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 63A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 252A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.8V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 208W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTG25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG25N120FL2WG

পার্ট স্টক: 20366

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 100A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 25A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 385W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH15T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH15T120SMD-F155

পার্ট স্টক: 2318

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 60A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 15A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 333W,

ইচ্ছেতালিকা
FGB3040CS
ON Semiconductor

FGB3040CS

পার্ট স্টক: 33497

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 430V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 21A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.6V @ 4V, 6A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150W,

ইচ্ছেতালিকা
FGL12040WD
ON Semiconductor

FGL12040WD

পার্ট স্টক: 12525

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 100A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.9V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 391W,

ইচ্ছেতালিকা
HGTP3N60A4
ON Semiconductor

HGTP3N60A4

পার্ট স্টক: 56586

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 17A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 40A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 3A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 70W,

ইচ্ছেতালিকা
FGB7N60UNDF
ON Semiconductor

FGB7N60UNDF

পার্ট স্টক: 54229

আইজিবিটি টাইপ: NPT, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 14A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 21A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.3V @ 15V, 7A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 83W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH50T65UPD
ON Semiconductor

FGH50T65UPD

পার্ট স্টক: 13856

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 150A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.3V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 340W,

ইচ্ছেতালিকা
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor

FGP3040G2-F085

পার্ট স্টক: 2590

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 41A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.25V @ 4V, 6A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB40N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60L2WG

পার্ট স্টক: 15833

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.61V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 417W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB15N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120FLWG

পার্ট স্টক: 17142

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.2V @ 15V, 15A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 156W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

পার্ট স্টক: 24869

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 60A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 15A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 294W,

ইচ্ছেতালিকা
HGTG12N60C3D
ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

পার্ট স্টক: 11041

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 24A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 96A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.2V @ 15V, 15A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 104W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB20N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N135IHRWG

পার্ট স্টক: 14414

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1350V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.65V @ 15V, 20A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 394W,

ইচ্ছেতালিকা
FGP5N60LS
ON Semiconductor

FGP5N60LS

পার্ট স্টক: 82176

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 36A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 3.2V @ 12V, 14A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 83W,

ইচ্ছেতালিকা
FGY40T120SMD
ON Semiconductor

FGY40T120SMD

পার্ট স্টক: 8802

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 882W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTD13T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD13T65F2WP

পার্ট স্টক: 44207

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.2V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB25N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL3WG

পার্ট স্টক: 15023

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 100A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 25A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 349W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTD23T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD23T120F2SWK

পার্ট স্টক: 24513

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.2V @ 15V, 25A,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB30N120L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120L2WG

পার্ট স্টক: 9261

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 534W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH80N60FDTU
ON Semiconductor

FGH80N60FDTU

পার্ট স্টক: 17028

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 290W,

ইচ্ছেতালিকা
NGTB40N65IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRWG

পার্ট স্টক: 35282

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.7V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 405W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH40N60SMD-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMD-F085

পার্ট স্টক: 2954

আইজিবিটি টাইপ: Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.5V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 349W,

ইচ্ছেতালিকা
FGH40T70SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T70SHD-F155

পার্ট স্টক: 2540

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.15V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 268W,

ইচ্ছেতালিকা
HGTG18N120BN
ON Semiconductor

HGTG18N120BN

পার্ট স্টক: 11952

আইজিবিটি টাইপ: NPT, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 54A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 165A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.7V @ 15V, 18A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 390W,

ইচ্ছেতালিকা