Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক
FJX992TF
ON Semiconductor

FJX992TF

পার্ট স্টক: 123840

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 120V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 1mA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
FJPF5021O
ON Semiconductor

FJPF5021O

পার্ট স্টক: 6070

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 500V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 600mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 600mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD253T4G
ON Semiconductor

MJD253T4G

পার্ট স্টক: 143073

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 200mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
NJW3281G
ON Semiconductor

NJW3281G

পার্ট স্টক: 27850

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 800mA, 8A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 75 @ 3A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMMBT3906TT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT3906TT1G

পার্ট স্টক: 174975

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
FJAF4210YTU
ON Semiconductor

FJAF4210YTU

পার্ট স্টক: 35767

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 140V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 500mA, 5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 90 @ 3A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
KSH127TM
ON Semiconductor

KSH127TM

পার্ট স্টক: 158308

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 4V @ 80mA, 8A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 4A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD5731T4
ON Semiconductor

MJD5731T4

পার্ট স্টক: 6330

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 350V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 200mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 300mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
FJP5027O
ON Semiconductor

FJP5027O

পার্ট স্টক: 6107

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 800V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 300mA, 1.5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 200mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA56RLRPG
ON Semiconductor

MPSA56RLRPG

পার্ট স্টক: 6446

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MCH6102-TL-E
ON Semiconductor

MCH6102-TL-E

পার্ট স্টক: 167629

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 375mV @ 15mA, 750mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
NJL21194DG
ON Semiconductor

NJL21194DG

পার্ট স্টক: 6396

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 16A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 4V @ 3.2A, 16A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 25 @ 8A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PZT2907AT3
ON Semiconductor

PZT2907AT3

পার্ট স্টক: 6484

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
FSB6714
ON Semiconductor

FSB6714

পার্ট স্টক: 6475

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS2369A
ON Semiconductor

MPS2369A

পার্ট স্টক: 6432

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 400nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA93_D27Z
ON Semiconductor

MPSA93_D27Z

পার্ট স্টক: 6501

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 200V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 250nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 30mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
PN100A_D26Z
ON Semiconductor

PN100A_D26Z

পার্ট স্টক: 6708

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 20mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 10mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA64RLRMG
ON Semiconductor

MPSA64RLRMG

পার্ট স্টক: 6456

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA06RL1
ON Semiconductor

MPSA06RL1

পার্ট স্টক: 6441

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA42RLRFG
ON Semiconductor

MPSA42RLRFG

পার্ট স্টক: 6370

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 25 @ 1mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MJE18004D2G
ON Semiconductor

MJE18004D2G

পার্ট স্টক: 6380

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 450V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 750mV @ 400mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 6 @ 2A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
P2N2222AZL1G
ON Semiconductor

P2N2222AZL1G

পার্ট স্টক: 6415

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
KSH44H11TM
ON Semiconductor

KSH44H11TM

পার্ট স্টক: 182291

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 400mA, 8A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 4A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD31CTF_NBDD001
ON Semiconductor

MJD31CTF_NBDD001

পার্ট স্টক: 6516

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.2V @ 375mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10 @ 3A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD44H11T5G
ON Semiconductor

MJD44H11T5G

পার্ট স্টক: 129504

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 400mA, 8A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 4A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
NJVMJD112T4G
ON Semiconductor

NJVMJD112T4G

পার্ট স্টক: 138776

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 3V @ 40mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 20µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 2A, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
KSC2335OTU
ON Semiconductor

KSC2335OTU

পার্ট স্টক: 6107

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 7A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 600mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
KSB707RTU
ON Semiconductor

KSB707RTU

পার্ট স্টক: 6068

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 7A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 500mA, 5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 3A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA06_D75Z
ON Semiconductor

MPSA06_D75Z

পার্ট স্টক: 6529

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
PN2222AG
ON Semiconductor

PN2222AG

পার্ট স্টক: 6433

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MMBT6427LT3G
ON Semiconductor

MMBT6427LT3G

পার্ট স্টক: 6412

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 500µA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
P2N2907ARL1G
ON Semiconductor

P2N2907ARL1G

পার্ট স্টক: 6406

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSS35200MR6T1G
ON Semiconductor

NSS35200MR6T1G

পার্ট স্টক: 107557

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 310mV @ 20mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1.5A, 1.5V,

ইচ্ছেতালিকা
KSC5504DTM
ON Semiconductor

KSC5504DTM

পার্ট স্টক: 6172

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 400mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 4 @ 2A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MMBT3904_D87Z
ON Semiconductor

MMBT3904_D87Z

পার্ট স্টক: 5761

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS8099RLRPG
ON Semiconductor

MPS8099RLRPG

পার্ট স্টক: 6431

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা