Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক
MSB710-RT1G
ON Semiconductor

MSB710-RT1G

পার্ট স্টক: 6471

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 30mA, 300mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 150mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD31CRL
ON Semiconductor

MJD31CRL

পার্ট স্টক: 6391

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.2V @ 375mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10 @ 3A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS6652RLRAG
ON Semiconductor

MPS6652RLRAG

পার্ট স্টক: 6421

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 500mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
PN100A_D27Z
ON Semiconductor

PN100A_D27Z

পার্ট স্টক: 6570

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 20mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 10mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
FJAF4210RTU
ON Semiconductor

FJAF4210RTU

পার্ট স্টক: 30792

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 140V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 500mA, 5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 3A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA44RL1G
ON Semiconductor

MPSA44RL1G

পার্ট স্টক: 6665

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 300mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 750mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSS30101LT1G
ON Semiconductor

NSS30101LT1G

পার্ট স্টক: 107568

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 200mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
KSC5025OTU
ON Semiconductor

KSC5025OTU

পার্ট স্টক: 6120

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 500V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 1.2A, 6A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 1.2A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD45H11G
ON Semiconductor

MJD45H11G

পার্ট স্টক: 112704

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 400mA, 8A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 4A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
FJP5021Y
ON Semiconductor

FJP5021Y

পার্ট স্টক: 6147

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 500V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 600mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 600mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
SMMBT6427LT1G
ON Semiconductor

SMMBT6427LT1G

পার্ট স্টক: 173974

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 500µA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
TIP101
ON Semiconductor

TIP101

পার্ট স্টক: 6468

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2.5V @ 80mA, 8A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 3A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
FJPF5021R
ON Semiconductor

FJPF5021R

পার্ট স্টক: 6150

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 500V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 600mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 15 @ 600mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
NST489AMT1
ON Semiconductor

NST489AMT1

পার্ট স্টক: 6481

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 200mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS6724G
ON Semiconductor

MPS6724G

পার্ট স্টক: 6383

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 2mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 4000 @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD148T4G
ON Semiconductor

MJD148T4G

পার্ট স্টক: 119568

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 20µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 85 @ 500mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
FJL6820TU
ON Semiconductor

FJL6820TU

পার্ট স্টক: 6101

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 750V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 3V @ 2.75A, 11A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 5.5 @ 11A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
FJP5021O
ON Semiconductor

FJP5021O

পার্ট স্টক: 6080

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 500V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 600mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 600mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD32CRL
ON Semiconductor

MJD32CRL

পার্ট স্টক: 6354

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.2V @ 375mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10 @ 3A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
CPH3145-TL-E
ON Semiconductor

CPH3145-TL-E

পার্ট স্টক: 120115

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 330mV @ 50mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS8098
ON Semiconductor

MPS8098

পার্ট স্টক: 6488

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS2369RLRAG
ON Semiconductor

MPS2369RLRAG

পার্ট স্টক: 6430

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 1mA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 400nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 10mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA13ZL1
ON Semiconductor

MPSA13ZL1

পার্ট স্টক: 6431

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
KSD5018PWD
ON Semiconductor

KSD5018PWD

পার্ট স্টক: 6129

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 275V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 20mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1mA,

ইচ্ছেতালিকা
FMBS2383
ON Semiconductor

FMBS2383

পার্ট স্টক: 173551

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 800mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 160V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS6729G
ON Semiconductor

MPS6729G

পার্ট স্টক: 6425

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 10mA, 250mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 250mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS2222ARLRM
ON Semiconductor

MPS2222ARLRM

পার্ট স্টক: 6381

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
FJPF5027TU
ON Semiconductor

FJPF5027TU

পার্ট স্টক: 6093

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 800V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 300mA, 1.5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10 @ 200mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
TIP116
ON Semiconductor

TIP116

পার্ট স্টক: 6440

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2.5V @ 8mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 2mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 1A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSW13RLRAG
ON Semiconductor

MPSW13RLRAG

পার্ট স্টক: 6463

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MMBTA05LT3
ON Semiconductor

MMBTA05LT3

পার্ট স্টক: 6349

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
D44C8
ON Semiconductor

D44C8

পার্ট স্টক: 75525

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 50mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 2A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
KSC5024RTU
ON Semiconductor

KSC5024RTU

পার্ট স্টক: 6173

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 500V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 800mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 15 @ 800mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSW63RLRA
ON Semiconductor

MPSW63RLRA

পার্ট স্টক: 6426

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
FJPF13007TU
ON Semiconductor

FJPF13007TU

পার্ট স্টক: 6117

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 3V @ 2A, 8A, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 8 @ 2A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA56ZL1G
ON Semiconductor

MPSA56ZL1G

পার্ট স্টক: 6663

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা