ট্রানজিস্টর - জেএফইটি

FJN598JCBU

পার্ট স্টক: 3390

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

J174_D27Z

পার্ট স্টক: 3440

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 10nA,

EC3A03B-TL-H

পার্ট স্টক: 3447

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 50µA @ 20V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1.5V @ 1µA,

KSK596PCWD

পার্ট স্টক: 3392

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

MMBF5458

পার্ট স্টক: 132490

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 10nA,

MMBF4119

পার্ট স্টক: 167525

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 200µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1nA,

TIS74_J35Z

পার্ট স্টক: 3399

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 4nA,

MMBFJ110

পার্ট স্টক: 111642

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 10mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 10nA,

KSK596PAWD

পার্ট স্টক: 3450

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

SMMBFJ177LT1G

পার্ট স্টক: 137307

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 10nA,

J112RL1G

পার্ট স্টক: 3406

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 1µA,

MMBFJ203

পার্ট স্টক: 3434

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 4mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 10nA,

J174

পার্ট স্টক: 3498

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 10nA,

J175-D26Z

পার্ট স্টক: 16216

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 7mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 10nA,

CPH6904-TL-E

পার্ট স্টক: 196046

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 50mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 100µA,

TF408-3-TL-HX

পার্ট স্টক: 3414

J109-D26Z

পার্ট স্টক: 233

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 40mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 10nA,

NSVJ6904DSB6T1G

পার্ট স্টক: 9922

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 50mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 100µA,

J113-D74Z

পার্ট স্টক: 34497

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1µA,

J177_D27Z

পার্ট স্টক: 3382

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 10nA,

MMBF5457LT1

পার্ট স্টক: 3346

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 10nA,

MMBF4392LT1G

পার্ট স্টক: 129965

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 25mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 10nA,

KSK595HMTF

পার্ট স্টক: 3430

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 150µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

PN4092_D74Z

পার্ট স্টক: 3377

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 15mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1nA,

MV2N4857

পার্ট স্টক: 3425

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 500pA,

MX2N4392UB

পার্ট স্টক: 3411

MX2N4393

পার্ট স্টক: 3465

JANTX2N4416AUB

পার্ট স্টক: 561

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 15mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 1nA,

MV2N4860UB

পার্ট স্টক: 3437

MV2N4391

পার্ট স্টক: 3459

U291-E3

পার্ট স্টক: 3446

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 200mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1.5V @ 3nA,

U440

পার্ট স্টক: 3408

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 6mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 1nA,

IJW120R100T1FKSA1

পার্ট স্টক: 3424

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.5µA @ 1200V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 26A,

PMBFJ108,215

পার্ট স্টক: 176025

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 1µA,

J2A080GX0/T0BG295,

পার্ট স্টক: 3424

J176,126

পার্ট স্টক: 3498

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 10nA,