ট্রানজিস্টর - জেএফইটি

MX2N4860

পার্ট স্টক: 3473

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 500pA,

MV2N4861

পার্ট স্টক: 3498

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 0.5nA,

MX2N5114

পার্ট স্টক: 3508

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 90mA @ 18V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 1nA,

MX2N4857UB

পার্ট স্টক: 3427

MX2N4391UB

পার্ট স্টক: 3417

MV2N4856UB

পার্ট স্টক: 3496

MX2N4861

পার্ট স্টক: 3419

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 0.5nA,

MMBFJ177LT1G

পার্ট স্টক: 116535

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 10nA,

MMBF4392

পার্ট স্টক: 111115

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 25mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1nA,

TIS75_D26Z

পার্ট স্টক: 3440

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 8mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 4nA,

J270_D26Z

পার্ট স্টক: 3434

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1nA,

TF408-3-TL-H

পার্ট স্টক: 3425

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.2mA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 10mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 180mV @ 1µA,

MMBF5460LT1G

পার্ট স্টক: 3415

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 750mV @ 1µA,

MMBF4393LT1

পার্ট স্টক: 3356

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 10nA,

NSVJ3557SA3T1G

পার্ট স্টক: 121574

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 15V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 15V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 10mA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 50mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 300mV @ 100µA,

TF256TH-5-TL-H

পার্ট স্টক: 3408

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 240µA @ 2V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 100mV @ 1µA,

J201

পার্ট স্টক: 3365

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 200µA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 300mV @ 10nA,

J271

পার্ট স্টক: 3411

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 6mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1.5V @ 1nA,

P1086_D74Z

পার্ট স্টক: 3350

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 10mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 1µA,

PN5432_D27Z

পার্ট স্টক: 3415

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 150mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 3nA,

J175_D74Z

পার্ট স্টক: 3350

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 7mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 10nA,

J270

পার্ট স্টক: 3388

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1nA,

PN4117A_D26Z

পার্ট স্টক: 3388

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1nA,

J111-D74Z

পার্ট স্টক: 313

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 1µA,

NSVJ2394SA3T1G

পার্ট স্টক: 148349

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 15V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 15V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 32mA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 50mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 700mV @ 100µA,

MPF4392G

পার্ট স্টক: 3440

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 25mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 10nA,

J112-D74Z

পার্ট স্টক: 308

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 1µA,

J3A040YXS/T0BY4571

পার্ট স্টক: 3424

J111,126

পার্ট স্টক: 3411

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 1µA,

PMBF4393,215

পার্ট স্টক: 121138

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1nA,

DSK5J01Q0L

পার্ট স্টক: 130446

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 55V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 30mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 10µA,

CP210-2N4416-CT

পার্ট স্টক: 126

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 1nA,

PN4391 TRE

পার্ট স্টক: 196136

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 50mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 1nA,

CMPF4416A TR

পার্ট স্টক: 122530

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2.5V @ 1nA,

SST174-T1-E3

পার্ট স্টক: 3480

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 10nA,

SST5485-T1-E3

পার্ট স্টক: 3461

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 4mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 10nA,