Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

BSC0910NDIATMA1
Infineon Technologies

BSC0910NDIATMA1

পার্ট স্টক: 78348

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11A, 31A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.6 mOhm @ 25A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা
BSO303PHXUMA1
Infineon Technologies

BSO303PHXUMA1

পার্ট স্টক: 2618

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 100µA,

শুভেচ্ছা
BSO203PHXUMA1
Infineon Technologies

BSO203PHXUMA1

পার্ট স্টক: 105084

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 100µA,

শুভেচ্ছা
BSC0921NDIATMA1
Infineon Technologies

BSC0921NDIATMA1

পার্ট স্টক: 108715

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A, 31A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা
BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies

BSC750N10NDGATMA1

পার্ট স্টক: 2515

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 75 mOhm @ 13A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 12µA,

শুভেচ্ছা
BSC0993NDATMA1
Infineon Technologies

BSC0993NDATMA1

পার্ট স্টক: 133898

FET প্রকার: 2 N-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies

BSC072N03LDGATMA1

পার্ট স্টক: 2560

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.2 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা
BSZ0910NDXTMA1
Infineon Technologies

BSZ0910NDXTMA1

পার্ট স্টক: 2500

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.5A (Ta), 25A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.5 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা
BSZ0909NDXTMA1
Infineon Technologies

BSZ0909NDXTMA1

পার্ট স্টক: 154990

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা
BSZ215CHXTMA1
Infineon Technologies

BSZ215CHXTMA1

পার্ট স্টক: 143103

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.1A, 3.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.4V @ 110µA,

শুভেচ্ছা
BSS84AKS,115
Nexperia USA Inc.

BSS84AKS,115

পার্ট স্টক: 164611

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 160mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা
BUK9K5R1-30EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K5R1-30EX

পার্ট স্টক: 109883

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.3 mOhm @ 10A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K20-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K20-80EX

পার্ট স্টক: 2610

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K12-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K12-60EX

পার্ট স্টক: 108473

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 35A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10.7 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K6R2-40E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9K6R2-40E,115

পার্ট স্টক: 116859

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 mOhm @ 25A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K12-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K12-60EX

পার্ট স্টক: 108455

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.3 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K5R1-30E,115
Nexperia USA Inc.

BUK7K5R1-30E,115

পার্ট স্টক: 109892

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.1 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K6R2-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K6R2-40EX

পার্ট স্টক: 116814

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K32-100EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K32-100EX

পার্ট স্টক: 108509

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 29A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27.5 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K32-100EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K32-100EX

পার্ট স্টক: 108431

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 26A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 31 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K29-100EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K29-100EX

পার্ট স্টক: 45249

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 29.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24.5 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K15-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K15-80EX

পার্ট স্টক: 3278

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K5R6-30E,115
Nexperia USA Inc.

BUK7K5R6-30E,115

পার্ট স্টক: 113943

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.6 mOhm @ 25A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K5R6-30EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K5R6-30EX

পার্ট স্টক: 113946

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.8 mOhm @ 10A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K22-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K22-80EX

পার্ট স্টক: 2598

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K6R8-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K6R8-40EX

পার্ট স্টক: 118666

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.1 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K13-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K13-60EX

পার্ট স্টক: 118577

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12.5 mOhm @ 10A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K13-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K13-60EX

পার্ট স্টক: 118635

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K6R8-40E,115
Nexperia USA Inc.

BUK7K6R8-40E,115

পার্ট স্টক: 118650

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.8 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K17-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K17-80EX

পার্ট স্টক: 2563

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A (Ta), ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K30-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K30-80EX

পার্ট স্টক: 3309

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 26 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK9K17-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9K17-60EX

পার্ট স্টক: 140523

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 26A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15.6 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K17-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K17-60EX

পার্ট স্টক: 164394

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K8R7-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K8R7-40EX

পার্ট স্টক: 140548

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.5 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K45-100EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K45-100EX

পার্ট স্টক: 140553

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 37.6 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা
BUK7K23-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7K23-80EX

পার্ট স্টক: 2578

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা