ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

TC6320TG-G

পার্ট স্টক: 68318

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7 Ohm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 1mA,

TC7920K6-G

পার্ট স্টক: 49864

FET প্রকার: 2 N and 2 P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 Ohm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 1mA,

TD9944TG-G

পার্ট স্টক: 65575

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 240V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 1mA,

DMN62D0UDW-13

পার্ট স্টক: 155691

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 350mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMN21D1UDA-7B

পার্ট স্টক: 144

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 455mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

ZXMP6A16DN8QTA

পার্ট স্টক: 85500

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

DMC3025LNS-13

পার্ট স্টক: 159648

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

DMN2990UDJQ-7

পার্ট স্টক: 178697

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMN601VKQ-7

পার্ট স্টক: 118878

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 305mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

DMN2008LFU-7

পার্ট স্টক: 177281

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250A,

ZXMC3A16DN8TA

পার্ট স্টক: 87629

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.9A, 4.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

DMGD7N45SSD-13

পার্ট স্টক: 105022

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 450V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 400mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.5V @ 1mA,

DMC4047LSD-13

পার্ট স্টক: 107463

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, 5.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

DMNH6022SSD-13

পার্ট স্টক: 191300

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.1A, 22.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMN61D8LVT-7

পার্ট স্টক: 191757

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 630mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 1mA,

DMN2022UNS-13

পার্ট স্টক: 159447

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.7A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

SC8673040L

পার্ট স্টক: 67245

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A, 46A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 5.85mA,

SC8673010L

পার্ট স্টক: 63520

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A, 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 4.38mA,

NVMFD5485NLWFT1G

পার্ট স্টক: 81328

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 44 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

EFC6604R-TR

পার্ট স্টক: 146764

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTMFD5C446NLT1G

পার্ট স্টক: 65

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 25A (Ta), 145A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 90µA,

NTZD3155CT1G

পার্ট স্টক: 120582

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 540mA, 430mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

FDMD8900

পার্ট স্টক: 75697

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 19A, 17A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 mOhm @ 19A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

EFC6605R-V-TR

পার্ট স্টক: 166880

VEC2415-TL-W-Z

পার্ট স্টক: 88

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.6V @ 1mA,

FDMC6890NZ

পার্ট স্টক: 169827

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

SI4542DY

পার্ট স্টক: 41210

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 28 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NTZD3154NT5G

পার্ট স্টক: 195594

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 540mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

NTGD3148NT1G

পার্ট স্টক: 137924

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDS8935

পার্ট স্টক: 118941

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 183 mOhm @ 2.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NVMFD5877NLT3G

পার্ট স্টক: 193353

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDMD84100

পার্ট স্টক: 50072

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

SI1033X-T1-GE3

পার্ট স্টক: 174190

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 145mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

SIA777EDJ-T1-GE3

পার্ট স্টক: 187147

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.5A, 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

EM6K31T2R

পার্ট স্টক: 181152

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 250mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.3V @ 1mA,

EM6K31GT2R

পার্ট স্টক: 153168

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 250mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.3V @ 1mA,