ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

FDMC7200

পার্ট স্টক: 104070

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23.5 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NVMFD5C462NT1G

পার্ট স্টক: 57

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17.6A (Ta), 70A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.4 mOhm @ 25A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NVMFD5C462NWFT1G

পার্ট স্টক: 119

শুভেচ্ছা

FDMS7602S

পার্ট স্টক: 55912

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A, 17A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NVMFD5C674NLT1G

পার্ট স্টক: 108

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11A (Ta), 42A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 25µA,

শুভেচ্ছা

FDPC5030SG

পার্ট স্টক: 68643

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A, 25A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 mOhm @ 17A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDMS3604S

পার্ট স্টক: 150402

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A, 23A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 mOhm @ 13A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.7V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDMD8430

পার্ট স্টক: 165

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 28A (Ta), 95A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.12 mOhm @ 28A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDS6898AZ

পার্ট স্টক: 148041

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NVTJD4001NT2G

পার্ট স্টক: 152238

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 250mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 100µA,

শুভেচ্ছা

NTLJD3115PT1G

পার্ট স্টক: 178911

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NVMFD5C462NLWFT1G

পার্ট স্টক: 58

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 18A (Ta), 84A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.7 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 40µA,

শুভেচ্ছা

EFC3J018NUZTDG

পার্ট স্টক: 158

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.7 mOhm @ 5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

NTMFD5C462NLT1G

পার্ট স্টক: 129

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

FF23MR12W1M1B11BOMA1

পার্ট স্টক: 163

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Silicon Carbide (SiC), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 50A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23 mOhm @ 50A, 15V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5.55V @ 20mA,

শুভেচ্ছা

SP8M51FRATB

পার্ট স্টক: 152

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Ta), 2.5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

TT8M3TR

পার্ট স্টক: 154779

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 1.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.5A, 2.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

HP8KA1TB

পার্ট স্টক: 113065

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 mOhm @ 14A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 10mA,

শুভেচ্ছা

SP8K22FRATB

পার্ট স্টক: 87

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 45V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

SP8K33FRATB

পার্ট স্টক: 149

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 48 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

TT8K1TR

পার্ট স্টক: 171251

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 1.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

TT8K11TCR

পার্ট স্টক: 195555

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 71 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1A,

শুভেচ্ছা

SI7900AEDN-T1-GE3

পার্ট স্টক: 139913

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 900mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SUD50NP04-77P-T4E3

পার্ট স্টক: 118918

FET প্রকার: N and P-Channel, Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 37 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI6968BEDQ-T1-GE3

পার্ট স্টক: 192809

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.6V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI4936CDY-T1-E3

পার্ট স্টক: 152475

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI3948DV-T1-GE3

পার্ট স্টক: 139953

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

DMP3036SSD-13

পার্ট স্টক: 156076

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN2008LFU-13

পার্ট স্টক: 196776

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMNH4026SSDQ-13

পার্ট স্টক: 107503

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC2990UDJQ-7B

পার্ট স্টক: 199195

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), 310mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN16M9UCA6-7

পার্ট স্টক: 135

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 1mA,

শুভেচ্ছা