ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

SI6968BEDQ-T1-E3

পার্ট স্টক: 118914

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.6V @ 250µA,

SI7904BDN-T1-E3

পার্ট স্টক: 165763

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

SI4948BEY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 125231

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SI4946BEY-T1-E3

পার্ট স্টক: 150097

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SI4808DY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 80857

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 800mV @ 250µA (Min),

SI3951DV-T1-GE3

পার্ট স্টক: 199685

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDS6930B

পার্ট স্টক: 174209

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 38 mOhm @ 5.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDS6990A

পার্ট স্টক: 143253

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT1G

পার্ট স্টক: 84490

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 44 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-W

পার্ট স্টক: 197593

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 1.8V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 160 mOhm @ 1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 1mA,

FDMS8090

পার্ট স্টক: 54867

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

FDPC8014AS

পার্ট স্টক: 56655

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

FDMA1028NZ-F021

পার্ট স্টক: 89

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

NTLUD4C26NTBG

পার্ট স্টক: 107408

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.1A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 250µA,

NTUD3174NZT5G

পার্ট স্টক: 123413

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 100µA,

FDMD8240LET40

পার্ট স্টক: 53084

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 24A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NTLJD3119CTBG

পার্ট স্টক: 189185

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.6A, 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

NTUD3169CZT5G

পার্ট স্টক: 116437

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA, 200mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-7

পার্ট স্টক: 101082

DMG6968UTS-13

পার্ট স্টক: 187139

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 950mV @ 250µA,

DMC3016LNS-7

পার্ট স্টক: 184096

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A (Ta), 6.8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

DMC3016LSD-13

পার্ট স্টক: 127604

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.2A, 6.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 12A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.3V @ 250µA,

HTMN5130SSD-13

পার্ট স্টক: 82476

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 55V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 130 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMG9933USD-13

পার্ট স্টক: 177140

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 75 mOhm @ 4.8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 250µA,

DMC3026LSD-13

পার্ট স্টক: 205

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.2A (Ta), 8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMPH6050SSD-13

পার্ট স্টক: 115772

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.2A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 48 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ZXMC10A816N8TC

পার্ট স্টক: 169825

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 230 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

DMN1250UFEL-7

পার্ট স্টক: 191350

FET প্রকার: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 450 mOhm @ 200mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

ZXMN6A25DN8TA

পার্ট স্টক: 101872

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 50 mOhm @ 3.6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

SP8M5FRATB

পার্ট স্টক: 154

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Ta), 7A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

SP8M6FRATB

পার্ট স্টক: 153

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A (Ta), 3.5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

SP8M21FRATB

পার্ট স্টক: 70

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 45V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Ta), 4A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

EPC2105ENGRT

পার্ট স্টক: 13745

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 2.5mA,

STL7DN6LF3

পার্ট স্টক: 117469

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 43 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

UPA2660T1R-E2-AX

পার্ট স্টক: 164961

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 62 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA2690T1R-E2-AX

পার্ট স্টক: 161730

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 42 mOhm @ 2A, 4.5V,