ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

DMN3055LFDB-13

পার্ট স্টক: 174963

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMHC3025LSDQ-13

পার্ট স্টক: 190261

FET প্রকার: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, 4.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMP1055UFDB-7

পার্ট স্টক: 154659

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC3400SDW-13

পার্ট স্টক: 156092

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 650mA, 450mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 400 mOhm @ 590mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.6V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMT6018LDR-7

পার্ট স্টক: 150011

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NVLJD4007NZTBG

পার্ট স্টক: 108671

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 245mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 100µA,

শুভেচ্ছা

FDG6304P-F169

পার্ট স্টক: 2990

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 410mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ECH8661-TL-H

পার্ট স্টক: 105690

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, 5.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

শুভেচ্ছা

NTZD3155CT2G

পার্ট স্টক: 199865

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 540mA, 430mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDMA1025P

পার্ট স্টক: 151612

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDMD85100

পার্ট স্টক: 46969

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDMD8530

পার্ট স্টক: 84078

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 35A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.25 mOhm @ 35A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NTD5C688NLT4G

পার্ট স্টক: 10808

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A (Ta), 17A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27.4 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NTMD4840NR2G

পার্ট স্টক: 184655

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 6.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDG8842CZ

পার্ট স্টক: 124470

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 750mA, 410mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDG8850NZ

পার্ট স্টক: 105054

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 750mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NVMFD5877NLWFT1G

পার্ট স্টক: 160834

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDMA1027PT

পার্ট স্টক: 2928

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ECH8663R-TL-H

পার্ট স্টক: 143975

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20.5 mOhm @ 4A, 4.5V,

শুভেচ্ছা

Texas Instruments

CSD87588NT

পার্ট স্টক: 67251

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 25A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.9V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Texas Instruments

CSD87381PT

পার্ট স্টক: 109565

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.9V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Texas Instruments

CSD87355Q5DT

পার্ট স্টক: 39849

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 45A, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.9V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI4804CDY-T1-E3

পার্ট স্টক: 129067

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI4922BDY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 93125

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.8V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SQJQ900E-T1_GE3

পার্ট স্টক: 69083

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.9 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা