ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

NTMD6P02R2G

পার্ট স্টক: 192373

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDMC8097AC

পার্ট স্টক: 84069

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 150V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.4A (Ta), 900mA (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 155 mOhm @ 2.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NTHD4508NT1G

পার্ট স্টক: 175416

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDC6401N

পার্ট স্টক: 146944

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FW389-TL-2W

পার্ট স্টক: 183608

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 225 mOhm @ 2A, 10V,

শুভেচ্ছা

FDS6986AS_SN00192

পার্ট স্টক: 3010

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.5A, 7.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 29 mOhm @ 6.5A, 10V, 20 mOhm @ 7.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

FDC6420C

পার্ট স্টক: 172122

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, 2.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN601VK-7

পার্ট স্টক: 199583

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 305mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC2041UFDB-13

পার্ট স্টক: 176346

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.7A, 3.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN5L06DMKQ-7

পার্ট স্টক: 127512

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 305mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 50mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMTH4007SPDQ-13

পার্ট স্টক: 125165

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Taiwan Semiconductor Corporation

DMC25D0UVT-13

পার্ট স্টক: 177257

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 400mA, 3.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

TSM680P06DPQ56 RLG

পার্ট স্টক: 16540

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4936DCS RLG

পার্ট স্টক: 10837

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.9A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

IXYS

FMM65-015P

পার্ট স্টক: 2720

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 150V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 65A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 50A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

IXYS

LKK47-06C5

পার্ট স্টক: 2067

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Super Junction, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 47A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 44A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 3mA,

শুভেচ্ছা

IXYS

GWM120-0075P3-SMD SAM

পার্ট স্টক: 2286

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 75V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 118A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

Micro Commercial Co

MCQ4559-TP

পার্ট স্টক: 163911

FET প্রকার: N and P-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, 3.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 3.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Rohm Semiconductor

SM6K2T110

পার্ট স্টক: 120997

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 200mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

TPS1120D

পার্ট স্টক: 27273

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 15V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.17A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

CSD87384M

পার্ট স্টক: 105031

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.9V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

CSD83325LT

পার্ট স্টক: 151301

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.25V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

CSD87355Q5D

পার্ট স্টক: 70450

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.9V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SQ3987EV-T1_GE3

পার্ট স্টক: 16233

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI5915DC-T1-E3

পার্ট স্টক: 2988

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 8V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 450mV @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

SI3585DV-T1-GE3

পার্ট স্টক: 3014

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, 1.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 600mV @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

SI7956DP-T1-E3

পার্ট স্টক: 43929

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 150V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI3552DV-T1-GE3

পার্ট স্টক: 189573

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা