ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

SI4539ADY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 3314

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.4A, 3.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

SI4816BDY-T1-E3

পার্ট স্টক: 93648

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.8A, 8.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SI1023X-T1-E3

পার্ট স্টক: 2929

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 370mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 450mV @ 250µA (Min),

EPC2100

পার্ট স্টক: 18949

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A (Ta), 40A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

FDG6306P

পার্ট স্টক: 182663

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 600mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 420 mOhm @ 600mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

NTMFD5C466NLT1G

পার্ট স্টক: 6537

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14A (Ta), 52A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 30µA,

NDS9948

পার্ট স্টক: 197045

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 250 mOhm @ 2.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDC6301N

পার্ট স্টক: 190563

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

ECH8654-TL-HX

পার্ট স্টক: 2963

FDS8928A

পার্ট স্টক: 123375

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.5A, 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

NVMFD5C470NLT1G

পার্ট স্টক: 9923

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11A (Ta), 36A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 20µA,

FDMA3028N

পার্ট স্টক: 163003

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 3.8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDS9953A

পার্ট স্টক: 193867

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 130 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDMD82100L

পার্ট স্টক: 65782

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19.5 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SLA5086

পার্ট স্টক: 10743

FET প্রকার: 5 P-Channel, Common Source, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 220 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

CSD87313DMST

পার্ট স্টক: 49889

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

CSD85302LT

পার্ট স্টক: 177129

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard,

CSD88599Q5DC

পার্ট স্টক: 22783

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

CSD86356Q5DT

পার্ট স্টক: 2723

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

DMN1150UFL3-7

পার্ট স্টক: 127702

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 150 mOhm @ 1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMC1029UFDB-13

পার্ট স্টক: 120593

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.6A, 3.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMN32D4SDW-13

পার্ট স্টক: 172309

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 650mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 400 mOhm @ 250mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.6V @ 250µA,

DMN4026SSD-13

পার্ট স্টক: 191283

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMT6018LDR-13

পার্ট স্টক: 215

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMTH4007SPD-13

পার্ট স্টক: 135932

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

DMP2101UCB9-7

পার্ট স্টক: 3006

DMP2075UFDB-13

পার্ট স্টক: 184

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.4V @ 250µA,

DMPH6050SPDQ-13

পার্ট স্টক: 140692

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 26A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 48 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SSM6N68NU,LF

পার্ট স্টক: 16268

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 1.8V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

SSM6N35AFU,LF

পার্ট স্টক: 9923

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 250mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 100µA,

STL20DN10F7

পার্ট স্টক: 63556

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 67 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.5V @ 250µA,

DF11MR12W1M1B11BOMA1

পার্ট স্টক: 229

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Silicon Carbide (SiC), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 50A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23 mOhm @ 50A, 15V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5.5V @ 20mA,

FMM60-02TF

পার্ট স্টক: 5122

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 33A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 30A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.5V @ 250µA,

GWS9294

পার্ট স্টক: 2995

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.1A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 1mA,

PMDT670UPE,115

পার্ট স্টক: 170493

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 550mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 850 mOhm @ 400mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 250µA,

TSM6963SDCA RVG

পার্ট স্টক: 243

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,