ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 450MHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 25.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 11dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 17.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.4GHz ~ 3.6GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 19.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 19.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.12GHz, লাভ করা: 15.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.03GHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 17.3dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 20.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.81GHz, লাভ করা: 18.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.39GHz, লাভ করা: 15.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.66GHz, লাভ করা: 15.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 23.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz, লাভ করা: 15.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.16GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.6GHz ~ 1.66GHz, লাভ করা: 19.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 15.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.805GHz ~ 1.88GHz, লাভ করা: 14.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.42GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.96GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 765MHz, লাভ করা: 18.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.68GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 20GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 70mA, শব্দ শব্দ: 0.65dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 12GHz, লাভ করা: 12.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 88mA, শব্দ শব্দ: 0.3dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 175MHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 10A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, বর্তমান রেরতিং: 20mA,
