ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.39GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.1GHz ~ 3.5GHz, লাভ করা: 12dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 465MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 6V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 21.4dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 22.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz, লাভ করা: 11.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.69GHz, লাভ করা: 16.3dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 940MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 470MHz, লাভ করা: 11.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12.5V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz ~ 1.99GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.03GHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 11dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 920MHz, লাভ করা: 19dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 25.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.16GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 19.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 30MHz, লাভ করা: 22dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 100V, বর্তমান রেরতিং: 12A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 175MHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 20A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 470MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 1µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.805GHz ~ 1.88GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 900MHz, লাভ করা: 23.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 600mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 2GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 60mA, শব্দ শব্দ: 0.4dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 12GHz, লাভ করা: 12dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 70mA, শব্দ শব্দ: 0.45dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 65MHz, লাভ করা: 23dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 100V, বর্তমান রেরতিং: 8A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.2GHz ~ 1.4GHz, লাভ করা: 18.4dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 4.8A,
