ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.68GHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 940MHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.14GHz, লাভ করা: 15.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.68GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.96GHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.16GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.6GHz ~ 1.66GHz, লাভ করা: 19.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.12GHz, লাভ করা: 15.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 15.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 470MHz ~ 860MHz, লাভ করা: 20dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 19dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 450MHz, লাভ করা: 22dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 10dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 6V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 2.14GHz, লাভ করা: 18.1dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 860MHz, লাভ করা: 18.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 10dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 940MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.81GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 17.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 12A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2GHz, লাভ করা: 11dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 13.6V, বর্তমান রেরতিং: 5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 14A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 400MHz, লাভ করা: 11.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 2GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 120mA, শব্দ শব্দ: 0.6dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 20GHz, লাভ করা: 10.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 15mA, শব্দ শব্দ: 0.85dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 900MHz, লাভ করা: 22dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 2.1A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: MESFET Dual Gate, ফ্রিকোয়েন্সি: 900MHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 5V, বর্তমান রেরতিং: 40mA, শব্দ শব্দ: 1.1dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 18.1dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 0Hz ~ 3.5GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 3A,