ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 17.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 19.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 17.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.39GHz, লাভ করা: 15.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 20.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 21.4dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 23.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.96GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.14GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.98GHz ~ 2.01GHz, লাভ করা: 14.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.4GHz, লাভ করা: 15.4dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 860MHz, লাভ করা: 18.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V, বর্তমান রেরতিং: 17A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.12GHz, লাভ করা: 15.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.7GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 100MHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 15V, বর্তমান রেরতিং: 15mA, শব্দ শব্দ: 2dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, লাভ করা: 12dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 10V, বর্তমান রেরতিং: 60mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, বর্তমান রেরতিং: 40mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 100MHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 10V, বর্তমান রেরতিং: 60mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 760MHz, লাভ করা: 19.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 1µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 15.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 894MHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), Common Source, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.61GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: Silicon Carbide MESFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.1GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 48V, বর্তমান রেরতিং: 9A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 500MHz, লাভ করা: 19dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12.5V, বর্তমান রেরতিং: 5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 900MHz, লাভ করা: 22.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 600mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: E-pHEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 12GHz, লাভ করা: 11dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 50mA, শব্দ শব্দ: 1dB,
