ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

NVMFD5C478NT1G

পার্ট স্টক: 6477

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.8A (Ta), 27A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.5V @ 20µA,

শুভেচ্ছা

MVDF2C03HDR2G

পার্ট স্টক: 3013

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.1A, 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ECH8662-TL-HX

পার্ট স্টক: 3098

শুভেচ্ছা

FDS9958

পার্ট স্টক: 153191

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDC8602

পার্ট স্টক: 148680

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 350 mOhm @ 1.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

EFC6618R-A-TF

পার্ট স্টক: 2949

শুভেচ্ছা

NTMD2C02R2SG

পার্ট স্টক: 2975

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.2A, 3.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NTMFD4C85NT3G

পার্ট স্টক: 32493

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15.4A, 29.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMP3056LSD-13

পার্ট স্টক: 196313

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMG1029SV-7

পার্ট স্টক: 173094

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA, 360mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.7 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC25D1UVT-13

পার্ট স্টক: 110745

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA, 3.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMP2060UFDB-13

পার্ট স্টক: 197487

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN2014LHAB-7

পার্ট স্টক: 140079

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC1029UFDB-7

পার্ট স্টক: 193190

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.6A, 3.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ZXMP6A16DN8TC

পার্ট স্টক: 144095

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

DMNH4026SSD-13

পার্ট স্টক: 144862

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN5L06VAK-7

পার্ট স্টক: 124182

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 280mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 50mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC3032LSD-13

পার্ট স্টক: 156719

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.1A, 7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 32 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI4965DY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 3019

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 8V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 450mV @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

SI1902CDL-T1-GE3

পার্ট স্টক: 181662

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 235 mOhm @ 1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SIA936EDJ-T1-GE3

পার্ট স্টক: 3020

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 34 mOhm @ 4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা