পার্ট স্টক: 43248
FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 5mA,