ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

NTHD4502NT1G

পার্ট স্টক: 147583

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLWFT1G

পার্ট স্টক: 251

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14A (Ta), 52A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 30µA,

FDS4953

পার্ট স্টক: 2994

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 55 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NVMFD5489NLT1G

পার্ট স্টক: 91710

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 65 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

NDS8936

পার্ট স্টক: 3130

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.8V @ 250µA,

FDMC8030

পার্ট স্টক: 182984

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 12A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.8V @ 250µA,

SQJ500EP

পার্ট স্টক: 2995

FDMB2308PZ

পার্ট স্টক: 98641

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDMA2002NZ_F130

পার্ট স্টক: 3353

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

EMH2418R-TL-H

পার্ট স্টক: 147303

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 24V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15 mOhm @ 4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 1mA,

GMM3X100-01X1-SMD

পার্ট স্টক: 3671

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 90A, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.5V @ 1mA,

CSD87351ZQ5D

পার্ট স্টক: 82239

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 32A, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

CSD87334Q3DT

পার্ট স্টক: 56420

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 mOhm @ 12A, 8V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

CSD88537NDT

পার্ট স্টক: 78894

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.6V @ 250µA,

GWS9293

পার্ট স্টক: 3370

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.4A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 1mA,

DMPH6050SPD-13

পার্ট স্টক: 156193

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 26A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 48 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMC3025LSDQ-13

পার্ট স্টক: 10850

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 7.4A, 10V, 45 mOhm @ 5.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

DMC2400UV-13

পার্ট স্টক: 156715

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.03A, 700mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 480 mOhm @ 200mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 900mV @ 250µA,

DMN3016LDN-13

পার্ট স্টক: 103259

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.2A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 11A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

DMTH4011SPD-13

পার্ট স্টক: 10768

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11.1A (Ta), 42A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

DMN3012LFG-13

পার্ট স্টক: 283

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA,

DMNH6022SSDQ-13

পার্ট স্টক: 158541

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.1A, 22.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMN66D0LDW-7

পার্ট স্টক: 193621

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 115mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 Ohm @ 115mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

SI1034X-T1-GE3

পার্ট স্টক: 127515

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 180mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

SI3981DV-T1-E3

পার্ট স্টক: 3003

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 250µA,

SQJ910AEP-T1_GE3

পার্ট স্টক: 9943

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7 mOhm @ 12A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

SI7501DN-T1-E3

পার্ট স্টক: 3365

FET প্রকার: N and P-Channel, Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.4A, 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 7.7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SIZ980DT-T1-GE3

পার্ট স্টক: 16202

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A (Tc), 60A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

SI4909DY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 158525

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

SI4925BDY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 89747

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SI8902EDB-T2-E1

পার্ট স্টক: 86559

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.9A, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 980µA,

CMLDM7003TG TR

পার্ট স্টক: 182584

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 280mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 50mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

IRFI4020H-117P

পার্ট স্টক: 21018

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 100 mOhm @ 5.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.9V @ 100µA,

NX7002AKS/ZLX

পার্ট স্টক: 2966

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 170mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

PHKD3NQ10T,518

পার্ট স্টক: 123444

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

SLA5085

পার্ট স্টক: 13470

FET প্রকার: 5 N-Channel, Common Source, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 220 mOhm @ 3A, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,